怎么除藻對(duì)于養(yǎng)殖相關(guān)是一個(gè)很頭疼的問(wèn)題，怎么去更好的解決這個(gè)問(wèn)題呢？

某大學(xué)近期公開了一種除藻抑嗅結(jié)構(gòu)及裝置，這一發(fā)明通過(guò)采用微納米曝氣單元改善水力條件，避免高濃度藻阻擋紫外穿透效果。

這款裝置涉及水處理技術(shù)領(lǐng)域，包括太陽(yáng)能板、浮標(biāo)外殼、浸水套管、微納米曝氣單元、測(cè)藻單元和紫外LED發(fā)光單元，太陽(yáng)能板分別與微納米曝氣單元、測(cè)藻單元和紫外LED發(fā)光單元電連接；太陽(yáng)能板位于浮標(biāo)外殼上；浮標(biāo)外殼與浸水套管連接；微納米曝氣單元和測(cè)藻單元均位于浸水套管中，且微納米曝氣單元的一端和測(cè)藻單元的一端均與水體接觸；紫外LED發(fā)光單元包括若干紫外LED發(fā)光部件，若干紫外LED發(fā)光部件均設(shè)置在浸水套管中，且各紫外LED發(fā)光部件發(fā)射的光均朝向水體，以達(dá)成阻絕藻類成長(zhǎng)的效果。

深紫外UV-C LED方面近期還公開了一項(xiàng)通照兩用的深紫外UV-C LED技術(shù)。

此項(xiàng)技術(shù)包括從下到上依次排列分布的導(dǎo)電襯底、第一鍵合金屬層、第二鍵合金屬層、絕緣層、P接觸反射鏡金屬及保護(hù)層、p型GaN層、AlGaN多量子阱層、n型GaN層；嵌入式柱狀N電極沉積于嵌入式柱狀N電極通道內(nèi)；嵌入式柱狀N電極的上表面與n型GaN層形成歐姆接觸；柱狀P電極沉積于柱狀P電極通道；柱狀P電極的底端位于LED芯片底部。

這一實(shí)用新型將柱狀P電極制作于LED芯片底部，避免了因制作電極而損失一部分發(fā)光面積，有效提升芯片的光輸出功率；同時(shí)，采用漸變Al組分結(jié)構(gòu)的AlGaN多量子阱層，有效提高了內(nèi)量子效率和光輸出效率。

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